metal gate 製程

...製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

2022年1月21日—目前最先進的5奈米製程，即是採用FinFET架構來製作。...metalgate），介電層的k值愈大，氧化層電容...製程，與現今業界之FinFET製程具有良好的相容性 ...

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28奈米製程

... 製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — 而其中已導入的high-k/metal gate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOS FET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k /metal gate實用化的 ...

TW201904063A

本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極(gate last)製程與後閘極介電層(high-k last)之具有金屬閘極之半導體元件及其 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — Why PolySi to HKMG. High-K Metal Gate; 隨元件/製程微縮，接近導體的PolySilicon (N+/P+ Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極 ...

奈米級P型高介電金屬閘極之金氧半電晶體製程最佳化與 ...

由 YW Chen 著作 · 2012 — 為了維持互補型金氧半電晶體（CMOS）持續的微縮尺寸，高介電常數（High-k）介電層與金屬閘電極（Metal gate）技術已成為邏輯CMOS製程技術基礎。然而金屬閘電極的功函數 ...